Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура на основе германо-силикатного стекла для оптоэлектроники
Основная информация
Название :
Фоточувствительная поверхностно-барьерная структура на основе германо-силикатного стекла для оптоэлектроники
Автор:
Основное технологическое направление :
Новые конструкционные материалы, методы обработки и производства
Дата публикации:
21.11.2024
Видимость :
Да
Аннотация:
Фоточувствительная структура состоит из кремниевой подложки с туннельно-тонким диэлектрическим слоем оксида кремния и прозрачным электродом, между которыми размещён диэлектрический слой германо-силикатного стекла. Такая конструкция позволяет регистрировать фототок в широком спектре, поглощая излучение как в приповерхностной области подложки, так и в слое диэлектрика. Технология нанесения слоёв осуществляется методами физического испарения и магнетронного распыления в вакууме, что обеспечивает оптимальные электрические и оптические свойства.
Решаемые проблемы и области применения
Решаемые проблемы :
Повышение эффективности регистрации оптических сигналов в широком спектральном диапазоне, включая видимый и инфракрасный диапазоны, при устранении недостатков традиционных фоточувствительных структур, таких как низкий фототок и необходимость использования высоких напряжений и температур.
Области применения:
IT, электроника и приборостроение
Технология
Описание технологии и ее ценность :
Фоточувствительная структура состоит из кремниевой подложки с туннельно-тонким диэлектрическим слоем оксида кремния и прозрачным электродом, между которыми размещён диэлектрический слой германо-силикатного стекла. Такая конструкция позволяет регистрировать фототок в широком спектре, поглощая излучение как в приповерхностной области подложки, так и в слое диэлектрика.
Инновационность технологии, конкурентные преимущества :
Расширение спектра регистрации излучения до видимого и инфракрасного диапазона;
Повышение фототока за счёт оптимизации толщины слоёв и использования германо-силикатного стекла;
Снижение необходимых напряжений для работы устройства;
Устранение необходимости высоких температур отжига при производстве.
Текущее состояние
Стадия готовности :
TRL 4. Лабораторный образец
Интеллектуальная собственность :
| Название документа | Патент РФ на полезную модель |