Национальная ассоциация трансфера технологий Запросы Каталог запросов Мои запросы Отклики исполнителей Сохраненные запросы Бизнес-задачи Добавить новый запрос Предложения Каталог предложений Мои предложения Сохраненные предложения Добавить новое предложение Исполнители Заказчики Инструкция Контакты Войти Зарегистрироваться Войти Зарегистрироваться Запросы Каталог запросов Мои запросы Отклики исполнителей Сохраненные запросы Бизнес-задачи Добавить новый запрос Запросы Назад Предложения Каталог предложений Мои предложения Сохраненные предложения Добавить новое предложение Предложения Назад Исполнители Каталог исполнителей Исполнители Назад Заказчики Каталог заказчиков Заказчики Назад Инструкция Контакты СИНТЕЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСОЕДИНЕНИЙ АIIIВV И КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ В ПОЛЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДИЕНТА Вернуться к списку Быстрый переход: Основная информация Решаемые проблемы и области применения Технология Текущее состояние Команда проекта Бизнес-модель Партнеры проекта Финансовый профиль Предложение инвестору / партнеру Прикреплённые файлы к проекту Контактная информация Основная информация Название : СИНТЕЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСОЕДИНЕНИЙ АIIIВV И КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ В ПОЛЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДИЕНТА Организация-исполнитель : ✓ федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Кавказский федеральный университет" Автор предложения: Константин Костенко Основное технологическое направление : Новые конструкционные материалы, методы обработки и производства Дата публикации: 10.04.2024 Видимость : Да Аннотация: Определены факторы и закономерности, влияющие на процесс эпитаксиального роста в поле температурного градиента через тонкую газовую зону, а также влияние условий градиентной кристаллизации на электронный спектр многокомпонентных полупроводников. Разработана доступная технология получения многокомпонентных полупроводников АIIIВV для использования в промышленных условиях. Синтез гетеросоединений для бинарных, трехкомпонентных и четырехкомпонентных составов полупроводников АIIIВV в поле температурного градиента в газовой фазе через тонкую зону, а также формирование квантово-размерных структур на их основе. Решаемые проблемы и области применения Решаемые проблемы : Предлагаемая технология значительно экономичней, чем существующие технологии, такие как МОС-гидридная эпитаксия, молекулярно-лучевая эпитаксия и др. Области применения: IT, электроника и приборостроение Технология Описание технологии и ее ценность : Синтез гетеросоединений для бинарных, трехкомпонентных и четырехкомпонентных составов полупроводников АIIIВV в поле температурного градиента в газовой фазе через тонкую зону, а также формирование квантово-размерных структур на их основе. Текущее состояние Стадия готовности : TRL 3. Макетный образец Описание текущего состояния : Макетный образец Интеллектуальная собственность : Название документа - Патент на изобретение № 2064541 «Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений, патент на изобретение». Номер 2064541 Название документа Свидетельство №2020616823 от 23.06.2020 «Программа расчета параметров квантовых точек трехкомпонентных твердых растворов на бинарных подложках соединений А3В5». Номер 2020616823 Команда проекта Структура и компетенции команды : Руководитель - СЫСОЕВ ИГОРЬ АЛЕКСАНДРОВИЧ, доктор технических наук, заведующий кафедрой неорганической и физической химии Предложение инвестору / партнеру Необходимые ресурсы для реализации проекта : Дополнительное финансирование Дорожная карта развития проекта : 2025 Лабораторный образец Контактная информация Показать контакты