СИНТЕЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСОЕДИНЕНИЙ АIIIВV И КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ В ПОЛЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДИЕНТА
Основная информация
Название :
СИНТЕЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСОЕДИНЕНИЙ АIIIВV И КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ В ПОЛЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДИЕНТА
Автор:
Основное технологическое направление :
Новые конструкционные материалы, методы обработки и производства
Дата публикации:
03.05.2024
Видимость :
Да
Аннотация:
Определены факторы и закономерности, влияющие на процесс эпитаксиального роста в поле температурного градиента через тонкую газовую зону, а также влияние условий градиентной кристаллизации на электронный спектр многокомпонентных полупроводников.
Разработана доступная технология получения многокомпонентных полупроводников АIIIВV для использования в промышленных условиях.
Синтез гетеросоединений для бинарных, трехкомпонентных и четырехкомпонентных составов полупроводников АIIIВV в поле температурного градиента в газовой фазе через тонкую зону, а также формирование квантово-размерных структур на их основе.
Разработана доступная технология получения многокомпонентных полупроводников АIIIВV для использования в промышленных условиях.
Синтез гетеросоединений для бинарных, трехкомпонентных и четырехкомпонентных составов полупроводников АIIIВV в поле температурного градиента в газовой фазе через тонкую зону, а также формирование квантово-размерных структур на их основе.
Решаемые проблемы и области применения
Решаемые проблемы :
Предлагаемая технология значительно экономичней, чем существующие технологии, такие как МОС-гидридная эпитаксия, молекулярно-лучевая эпитаксия и др.
Области применения:
IT, электроника и приборостроение
Технология
Описание технологии и ее ценность :
Синтез гетеросоединений для бинарных, трехкомпонентных и четырехкомпонентных составов полупроводников АIIIВV в поле температурного градиента в газовой фазе через тонкую зону, а также формирование квантово-размерных структур на их основе.
Текущее состояние
Стадия готовности :
TRL 3. Макетный образец
Описание текущего состояния :
Макетный образец
Интеллектуальная собственность :
| Название документа | - Патент на изобретение № 2064541 «Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений, патент на изобретение». |
| Номер | 2064541 |
| Название документа | Свидетельство №2020616823 от 23.06.2020 «Программа расчета параметров квантовых точек трехкомпонентных твердых растворов на бинарных подложках соединений А3В5». |
| Номер | 2020616823 |
Команда проекта
Структура и компетенции команды :
Руководитель - СЫСОЕВ ИГОРЬ АЛЕКСАНДРОВИЧ, доктор технических наук, заведующий кафедрой неорганической и физической химии
Предложение инвестору / партнеру
Необходимые ресурсы для реализации проекта :
Дополнительное финансирование
Дорожная карта развития проекта :
| 2025 |
| Лабораторный образец |