Технология ионно-кластерной полировки кристаллических подложек для микроэлектроники.

Вернуться к списку

Основная информация

Название :
Технология ионно-кластерной полировки кристаллических подложек для микроэлектроники.
Организация-исполнитель :
✓ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет"
Автор предложения:
Евгений Галашов
Основное технологическое направление :
Информационно-телекоммуникационные системы и программное обеспечение
Дополнительные технологические направления :
Транспортно-логистические и космические системы
Дата публикации:
06.04.2022
Видимость :
Да
Аннотация:
В НГУ разработана технология и оборудование для  ионно-кластерной полировки кристаллических материалов на атомном уровне с шероховатостью поверхности не более 1 нм. Технология универсальна и применима ко всем кристаллическим материалам, в том числе к подложкам для нанесения гетероструктур в микроэлектроники. Стоимость процесса и оборудования снижена на порядок по сравнению с импортными аналогами.

Решаемые проблемы и области применения

Решаемые проблемы :
Для производства микрочипов необходимы подложки с низкой шероховатостью поверхности В настоящее время за рубежом используется длительный процесс механохимической полировки с шероховатостью поверхности около 10 нм,что удовлетворяет производству микрочипов с дорожкой 14 нм. При переходе на технологию 10 нм и 7 нм,необходимо менять технологию полировки,например на ионно-кластерную полировку подложек на атомном уровне с шероховатостью поверхности не более 1 нм.
Актуальность проблемы:
Переход на новые стандарты при производстве микрочипов

Технология

Описание технологии и ее ценность :
Ионно-кластерные пучки разогнанные в установки фокусируются на мишени в виде подложки требуемого материалы и при соприкосновении с ней, распространяются вдоль её поверхности,срезая шероховатости до атомного уровня.Процесс занимает несколько минут,с учётом перезагрузки установки 2-3 часа.Стоимость установки на порядки ниже импортных аналогов.
Инновационность технологии, конкурентные преимущества :
Процесс занимает несколько минут,с учётом перезагрузки установки 2-3 часа.Стоимость установки на порядки ниже импортных аналогов.

Текущее состояние

Описание текущего состояния :
Изготовлена опытная установка, отполированы и охарактеризованы образцы подложек различного состава.. Технология позволит заменить импортные аналоги атомной полировки подложек.
Интеллектуальная собственность :
Название документа режим ноу-хау
Номер режим ноу-хау
Текущее финансирование :
30000000
Текущее финансирование (Описание) :
Изготовлена опытная установка, отполированы и охарактеризованы образцы подложек различного состава, в том числе кремния, германия, карбида кремния и арсенида галлия.

Команда проекта

Численность проектной команды :
6
Структура и компетенции команды :
Сотрудники НГУ

Предложение инвестору / партнеру

Необходимые ресурсы для реализации проекта :
Для масштабирование технологии необходимо привлечение финансирования в размере от 20 млн.руб на промышленную установку.Размер финансирования зависит от ТЗ.
Дорожная карта развития проекта :
2022
Изготовлена и передана партнёру промышленная установка атомной полировки
Контактная информация